电场形成原理(电场效应的原理是什么)
电场效应的原理是什么
电场效应的原理即漏极到源极间流经沟道的“ID”，用以栅极与沟道间的“pn”结形成的反偏的栅极电压控制“ID”。
“ID”流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由“pn”结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在“VGS=0”的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极到源极间所加“VDS”的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流“ID”流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，“ID”饱和，将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
场效应管工作原理、特性及主要参数介绍，与晶体管有哪些区别？
什么是场效应管？场效应管（FET）是靠输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，又称单极晶体管。前面介绍的晶体三极管指的是双极晶体管。一般输入回路的内阻较高，温度稳定性较好，抗干扰能力强，噪声低，这是晶体三极管所没有的优势。
实物图：
AO3402N沟道增强型场效应管
MOSFET
分类：结型+绝缘栅型
本文介绍结型场效应管，后续文章更新绝缘栅型场效应管。
结型场效应管分类：N沟道+P沟道
N沟道管：
N沟道结型场效应管结构示意图
P沟道管：
P沟道结型场效应管结构示意图
结型场效应管符号
三个电极：栅极g+漏极d+源极s
结型场效应管工作原理前提条件：N沟道管，栅-源之间加负电压（Ugs0），且Ugs夹断电压；漏-源之间加正向电压（Uds0）
过程1：
UgdUgs（off）
Uds0，保证了有电流id从漏极流入源极，所以沟道中的各点与栅极之间的电压发生变化，导电沟道不再是同等宽度，靠近漏极一边的比靠近源极一边的较窄。
过程2：
Ugd=Ugs（off）
因为Ugd=Ugs-Uds，当Uds逐渐增大时，Ugd逐渐减小，但只要栅-漏之间没达到夹断电压，沟道电阻将由栅源电压决定，此时D-S呈现电阻特性。当Ugs=Ugs（off）,即预夹断夹断，此时，若继续增大Uds,夹断区将逐渐延伸，出现过程3现象。
过程3：
UgdUgs（off）
此过程中，夹断区不断延伸，id逐渐减小，但是由于Uds的增大，使得D-S之间电场增大，id又将增大，一增一减基本抵消，所以id基本保持不变，此时，id几乎仅有Ugs决定，出现id的恒流特性。
UgdUgs(off)时，Ugs对电流id的控制当Uds为一常量，且Ugs确定时，id也就确定，此时，Ugs控制了id的大小，也就是常说的漏极电流受栅-源电压控制，所以场效应管为电压控制元件。类比于晶体管基极电流控制集电极电流。
低频跨导公式：gm=△id/△Ugs
总结1）在Ugd=Ugs-UdsUgs（off）时，不同的Ugs对应不同的d-s之间的电阻
2）当Ugd=Ugs（off）时，d-s之间预夹断
3）当Uds继续增大使得UgdUgs（off）,id仅仅决定于Ugs。
结型场效应管特性曲线场效应管输出特性曲线
可变电阻区：d-s之间的电阻随着Ugs电压的变化而变化恒流区（饱和区）：在Uds在增大时，id将不再明显变化，此时几乎由电压Ugs控制，一般场效应管用作放大管使用时，都是工作在恒流区。夹断区：当UgsUgs(off),导电沟道被夹断，id几乎为0，上图中Ugs≤-2v时击穿区：Uds持续增大，漏极电流会骤然增大，管子出现击穿。另外为了保证结型场效应管栅-源间耗尽层为反向电压，N沟道管，需要另Ugs≤0v，P沟道管，需要另Ugs≥0v。
本文属于结型场效应管的基本知识，欢迎收藏转发学习，后边更新绝缘栅型场效应管（MOSFET）相关知识，欢迎关注，我是头脑有点热的电子君！
电场怎么加热？
电磁炉现如今已成为很多家庭烧菜的必备家电。那么很多人会好奇这个电磁炉怎么加热锅的呢？
科普一个知识：
变化的磁场生电场——电磁感应现象
我们的电磁炉底部有金属铜绕成的一圈圈金属圈，当家庭交流电通过时候产生了磁场（这就是电磁铁的基本原理），由于家庭交流电是变化的电流，意味着磁场的强度和方向会发生变化，那么变化的磁场在其垂直上方产生了闭合的涡旋电场，这个时候如果我们在这个电场上方上电子，那么电子就会在电场的作用下定向移动（产生电流），电流具有热效应就可以加热金属了。那怎么放上电子呢？ 很简单，放上金属即可，因为金属的外层电子不稳定可以自由移动。
那么这个由变化产生过程：电流——变化磁场——涡旋电流——电流热效应。整个过程就完美的把电能转化成了热能！生活中的还有一种加热金属的原理也和这个一样。
那么总结一下此加热方法需要的条件：1.交流电，2.在交流的涡旋线圈附近有金属（或者类金属），其实铁锅就很好，当然真正电磁炉还加入了效果更好的物质。
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